GaNトランジスタ、出力を従来の3倍に向上

新開発更新されましたAugust 14, 2018 at 01:52PM
【外部リンク】

GaNトランジスタ、出力を従来の3倍に向上

新開発の構造では、トランジスタ内部の電圧を、電子供給層とAlGaNスペーサー層に分散することができるという。電圧集中を防ぐことで、電子供給層における結晶 ...
https://ift.tt/2P98Ha6