新開発 FAN: 東芝の研究開発センター、SiC製MOSFETのチャネル領域の抵抗を40％低減

2019年5月22日水曜日

東芝の研究開発センター、SiC製MOSFETのチャネル領域の抵抗を40％低減

新開発更新されましたMay 22, 2019 at 09:11AM
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東芝の研究開発センター、SiC製MOSFETのチャネル領域の抵抗を40％低減

同社によれば、現在のSiC製MOSFETでは、チャネル領域の抵抗が大きいため、使用時の電力損失低減の妨げとなっているという。そのため、チャネル領域の ...
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